| 型号： | BZX79-B3V3,133 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | NXP Semiconductors | 描述： | DIODE VREG 3.3V 500MW DO-35 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 |
| BZX79-B3V3,133 PDF |  |
| 标准包装 | 10,000 |
| 系列 | - |
| 电压 - 齐纳（标称）(Vz) | 3.3V |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大） | 900mV @ 10mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电 | 5µA @ 1V |
| 容差 | ±2% |
| 功率 - 最大 | 400mW |
| 阻抗（最大）(Zzt) | 95 欧姆 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 供应商设备封装 | ALF2 |
| 包装 | 带盒（TB） |
| 工作温度 | -65°C ~ 200°C |
| 其它名称 | 568-7934-3 933549950133 BZX79-B3V3,133-ND |